„Chinas Chip schlägt Intel mit 40% mehr Geschwindigkeit“: Revolutionärer Durchbruch versetzt Technologiewelt in Aufruhr

In der dynamischen Welt der Halbleitertechnologie sorgt ein Team von Forschern der Peking-Universität für Aufsehen. Mit der Entwicklung eines neuen Transistors auf Basis von Wismut haben sie einen Durchbruch erzielt, der das Potenzial hat, die Chipindustrie nachhaltig zu verändern. Diese Innovation könnte es China ermöglichen, die bestehenden Herausforderungen der Silizium-basierten Chipproduktion zu umgehen und einen Vorsprung im globalen Technologiewettlauf zu gewinnen.

Wismut-basierte Transistoren als Spielveränderer

Das chinesische Forscherteam hat einen Wismut-basierten Transistor entwickelt, der die Leistung der fortschrittlichsten kommerziellen Chips von Intel und TSMC übertrifft. Diese neue Technologie ist in der Lage, die Geschwindigkeit um 40 Prozent zu erhöhen und gleichzeitig 10 Prozent weniger Energie zu verbrauchen. Diese Eigenschaften könnten die Beschränkungen der Silizium-basierten Transistoren, die bei extrem kleinen Maßstäben an ihre Grenzen stoßen, überwinden.

Professor Peng Hailin, der das Forscherteam leitet, beschreibt die Bedeutung dieser Entwicklung als fundamentalen Wandel in der Halbleitertechnologie. Die Notwendigkeit, aufgrund von US-geführten Sanktionen alternative Lösungen zu finden, habe die chinesischen Forscher dazu veranlasst, neue Wege zu beschreiten.

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Das Team entwickelte den Transistor mithilfe von gate-all-around field-effect transistor (GAAFET)-Strukturen, die aus Wismut-basierten Materialien bestehen. Diese Innovation hebt sich deutlich vom traditionellen Fin Field-Effect Transistor (FinFET) ab, der seit 2011 den Industriestandard darstellt.

Neue Ära der Chiptechnologie

Die Grenzen der Silizium-basierten Chips werden immer deutlicher, da die Industrie versucht, die Integrationsdichte über 3 Nanometer hinaus zu steigern. Der neue GAAFET-Ansatz eliminiert das „Fin“ der FinFET-Designs und vergrößert die Kontaktfläche zwischen Gate und Kanal. Dieser Ansatz wurde von den Forschern mit dem Bau von Brücken statt hohen Gebäuden verglichen, was den Elektronenfluss erleichtert.

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Der Einsatz von 2D-Halbleitermaterialien, die eine gleichmäßige atomare Dicke und höhere Mobilität als Silizium aufweisen, könnte die Leistung weiter optimieren. Vergangene Versuche, 2D-Materialien in Transistoren zu integrieren, scheiterten jedoch an strukturellen Herausforderungen.

Das PKU-Team überwand diese Hindernisse durch die Entwicklung eigener Wismut-basierter Materialien wie Bi2O2Se und Bi2SeO5. Diese Materialien bieten eine hohe dielektrische Konstante, reduzieren Energieverluste und steigern die Rechenleistung.

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Technische Details und Validierung

Die experimentellen Transistoren wurden mit der hochpräzisen Verarbeitungsplattform der Peking-Universität hergestellt. Die Ergebnisse wurden durch Dichtefunktionaltheorie-Berechnungen validiert, die zeigten, dass die Materialschnittstelle von Bi2O2Se/Bi2SeO5 weniger Defekte und einen reibungsloseren Elektronenfluss aufweist als bestehende Halbleiter-Oxid-Schnittstellen.

„Dies reduziert die Elektronenstreuung und den Stromverlust, wodurch Elektronen nahezu widerstandslos fließen können, ähnlich wie Wasser durch ein glattes Rohr“, erklärte Peng.

Die auf dieser Technologie basierenden Transistoren laufen 1,4 Mal schneller als die fortschrittlichsten Silizium-basierten Chips und verbrauchen nur 90 Prozent deren Energie. Das Team arbeitet nun daran, die Produktion zu skalieren und hat bereits kleine Logikeinheiten mit den neuen Transistoren gebaut.

Zukunftsperspektiven und globale Implikationen

Die Forschungsergebnisse wurden in der renommierten Zeitschrift „Nature Materials“ veröffentlicht und haben weltweit Aufmerksamkeit erregt. Diese Entwicklung könnte China eine führende Rolle in der nächsten Technologiegeneration der Halbleiterindustrie sichern. Die Möglichkeit, Chips mit höherer Leistung und Energieeffizienz herzustellen, könnte weitreichende Auswirkungen auf die globale Technologielandschaft und den geopolitischen Wettbewerb haben.

Während die Welt mit Spannung auf die nächsten Schritte wartet, bleibt die Frage offen, wie schnell und in welchem Umfang diese neue Technologie in der Praxis eingesetzt werden kann. Welche Herausforderungen werden sich bei der Massenproduktion und der Integration in bestehende Systeme ergeben?

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